性能特点：
1.采用CSTBTTM硅片技术
2.饱和压降低、短路承受能力强、驱动功率小
3.比同等级其他沟槽型IGBT电流输出能力高10%，在相同输出电流时ΔT(j-f)低15%
4.成本优化的封装
5.内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层，热阻小
6.模块内部寄生电感小
7.功率循环能力显著改善
封装尺寸
| 型号与规格 | 参数 | 封装 | 整包装数 |
| CM100DY-24A | 100A/1200V 两单元 | 模组 | 9 PCS |
| CM150DY-24A | 150A/1200V 两单元 | 模组 | 9 PCS |
| CM200DY-24A | 200A/1200V 两单元 | 模组 | 9 PCS |
| CM300DY-24A | 300A/1200V 两单元 | 模组 | 6 PCS |
| CM400DY-24A | 400A/1200V 两单元 | 模组 | 6 PCS |
| CM600DY-24A | 600A/1200V 两单元 | 模组 | 6 PCS |
| CM50MX-24A | 50A/1200V | 模组 | |
| CM300DX-12A | 300A/600V | 模组 | 3 PCS |
