美国EOS检测器组件
EOS于1991年在加利福尼亚成立，由电力电子领域的几个先驱者成立。EOS是一家具有交匙设计，制造，销售和支持运营的产品公司。该公司是电源制造商和出口商，并为其客户提供完整的VAM，ODM和支持和维修服务。EOS品牌的电源已经向全球客户销售了超过4000万台。EOS POWER现在已成为许多全球医疗，工业和质量意识客户的电源合作伙伴。
EOS检测器组件产品线由各种不同起始材料的光电二极管和光电导体组成，可从业内一个来源中进行广泛的选择。EOS在大多数探测器类型中提供几种标准尺寸，并为非标准要求提供定制设计服务。如果您的应用需要技术支持，请咨询工厂。
产品通常可以分为三个波长区域，再加上一个特殊类别，其中包括位置传感器，2色检测器和象限。
UV-VIS / NIR 包括InGaAs，前InGaAs，锗和硅光电二极管，其覆盖范围从0.2到2.6微米。
近红外 包括InAs和InSb光电二极管，以及覆盖1至5.5微米光谱范围的PbS，PbSe和HgCdTe光电导体。
LWIR 包括HgCdTe光电导体以及专用的热释电和热电堆检测器，用于覆盖1至40微米以上的光谱范围。
产品范围：紫外线-VIS / NIR200 nm-2.5微米,近红外-MWIR 1.0-5.5微米,LWIR2-40微米,象限探测器,近红外位置传感器,2色检测器
紫外线-VIS / NIR200 nm-2.5微米
此类别中的组件是硅，锗，InGaAs，InGaAs扩展型和光电二极管，其覆盖范围从0.2到2.6微米。这些检测器在室温下或与TE-Cooler一起运行，并以各种TO型包装提供。提供几种标准直径以及特殊设备，例如Si和InGaAs象限，2色检测器，多元素检测器和PSD。
近红外-MWIR 1.0-5.5微米
此类探测器包括InAs和InSb光电二极管以及覆盖1至5.5微米光谱范围的PbS，PbSe和HgCdTe光电导体。根据灵敏度要求，使用室温，TE冷却和低温封装。提供各种标准尺寸和定制尺寸。
LWIR2-40微米
此类探测器包括HgCdTe光电导体以及专用的热释电和热电堆探测器，用于覆盖1至40微米以上的光谱范围。提供各种标准尺寸和自定义几何形状。
