气体传感器说明
人们已经发现SnO2、ZnO、Fe2O3、Cr2O3、MgO、NiO2等材料都存在气敏效应。用这些金属氧化物制成的气敏薄膜是一种阻抗器件，气体分子和敏感膜之间能交换离子，发生还原反应，引起敏感膜电阻的变化。作为传感器还要求这种反应必须是可逆的，即为了消除气体分子还必须发生一次氧化反应。传感器内的加热器有助于氧化反应进程。
气体传感器阐述
按质量计算，在SnO2中加入3～5％的ThO2，5％的Sm2．在600℃的H2气氛中烧结，制成厚膜器件，工作温度为400℃。则可作为CO检测器件。上图右图是烧结温度为600℃时气敏器件的特性。可看出，工作温度在170～200℃范围内，对H2的灵敏度曲线呈抛物线，而对CO改变工作温度则影响不大，因此，利用器件这一特性可以检测H2。而烧结温度为400℃制成的器件，工作温度为200℃时，对H2、CO的灵敏度曲线形状都近似呈直线，但对CO的灵敏度要高得多，可以制成对CO敏感的气体传感器。
气体传感器种类
非电阻型也是一类较为常见的半导体气敏器件，这类器件使用方便，无需设置工作温度，易于集成化，得到了广泛应用。主要有结型和MOSFET型两种。 结型气敏传感器件又称气敏二极管，这类气敏器件是利用气体改变二极管的整流特性来工作的。其结构如下图左图所示。它的原理是：贵金属Pd对氢气具有选择性，它与半导体接触形成接触势垒。当二极管加正向偏压时，从半导体流向金属的电子将增加，因此正向是导通的。
