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| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | PlasmaSTAR | ||
| 是否支持加工定制 | 否 | ||
| 是否进口 | 是 | ||
| 射频频率 | 13.56 MHz | ||
| 射频功率 | 0~1000W瓦之间距连续可调，自动匹配 | ||
| 工艺气体 | 标配2路MFC，最多可选配5路 | ||
| 控制系统 | 7英寸触摸屏操作界面 | ||
| 程序控制 | PC触屏控制，可编程序，无线存储数据 | ||
| 设备尺寸 | 宽1033 x 深850 x 高635mm | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 材质 | 硬质阳极氧化铝矩形腔体 | ||
| 型号 | PlasmaStar 200/PlasmaStar 200 | ||
PlasmaSTAR?系列等离子处理系统适合处理所有的材料，拥有多种腔室和电极配置，可满足不同的等离子工艺和基片尺寸。占地面积小，用于各种等离子工艺的模块化腔室和电极配置。此外，触摸屏计算机控制，多级程序控制和组件控制，操作简单。PlasmaSTAR?模块化腔室和电极组件是该系统的独特功能。 腔室材料是硬质阳极氧化铝， 有几种不同的电极设计，包括用于反应离子刻蚀（RIE）和平面处理的水冷平板电极，用于表面清洗或处理的交替多层托盘电极，用于最小化离子损伤的下游电极，和用于普通的圆柱形笼式电极。
技术参数：
1、腔体尺寸：PlasmaStar 200 宽305×高305×深406mm；PlasmaStar 200RIE 宽305 ×高200×深406mm；
2、腔体材质：硬质阳极氧化铝矩形腔体；
3、处理腔背面材质：铝；
4、处理腔门：要求全自动腔门；
5、标配2路MFC工艺气体，PlasmaStar?200最多可选配5路，流量控制器控制气体流量，气体输入腔室带匀流设计；
6、射频功率：0~1000W瓦之间距连续可调，自动匹配，自然风冷；7、标准圆柱形笼式电极，可选交替多层托盘电极，可选RIE平面处理水冷平板电极；
8、7英寸及以上显示器、触摸屏、图形用户界面；
9、程序控制：触摸屏电脑控制，无线程序存储；
10、Windows操作系统，兼容Windows office软件，USB接口，可进行外部电脑远程控制的功能；
11、状态和出错信息提示，过程数据和出错信息存储，可选择自动和手动操作模式，过程数据可以导出，工艺参数以图形方式呈现，可实时监控，自动实现泄露检测；
12、配套紧急急停按钮（EMO)，配套电路断路器，机械联锁（门传感器）和真空联锁（压力开关），通过软件可进行远程的真空联锁；
13、典型的光刻胶刻蚀速率：80nm/min；
14、典型工艺均匀性：≥±10；
