| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 默克 | ||
| 产品名称 | AZ胶 光刻胶 AZ5214E AZ5200E AZ4562 AZ1500系列 | ||
| 产品规格 | 125ml、250ml、500ml | ||
| 用途范围 | 适用于高分辨率工艺 | ||
| 是否进口 | 是 | ||
| 加工定制 | 否 | ||
| 包装规格 | 1kg | ||
| 容量 | 125ml、250ml、500ml | ||
| 可售卖地 | 北京;天津;河北;山西;内蒙古;辽宁;吉林;黑龙江;上海;江苏;浙江;安徽;福建;江西;山东;河南;湖北;湖南;广东;广西;海南;重庆;四川;贵州;云南;西藏;陕西;甘肃;青海;宁夏 | ||
| 型号 | AZ5214E AZ5200E AZ4562 AZ1500 | ||
AZ5214E高解像度图形反转正/负可改变型光刻胶，特别为lift-off工艺优化。AZ5214E匀胶厚度1.5μm~3μm，AZ5200E系列匀胶厚度为：0.5μm~6μm。
AZ5214E特征：
1) 适用于高分辨率工艺(lift-off工艺)；
2) 适用于正/负图形；
3) 很宽的膜厚范围。
AZ 5200E系列光刻胶参考工艺条件：
前烘?：100℃ 60秒 (DHP)；
曝光?：I线步进式曝光机/接触式曝光机；
反转烘烤?：110~125℃ 90秒 (DHP):去离子水30秒；
全面曝光?：310~405nm
?(在曝光光源下全面照射)；
显影?：AZ300MIF (2.38) 23℃ 30~60秒Puddle；
? ? ? ? ：AZ Developer(1:1)23℃ 60秒Dipping；
? ? ? ? ：AZ400K(1:4)23℃ 60秒Dipping；
清洗?：去离子水30秒；
后烘?：120℃ 120秒 (DHP)；
剥离?：AZ剥离液及/或氧等离子体灰化；
产品型号：
型号 | AZ5206E | AZ5214E | AZ5218E | AZ5200NJ |
粘性 | 7mPa | 25mPa | 40mPa | 85mPa |
?
AZP4620超厚膜，高对比度，高感光度G线标准正型光刻胶，适用于半导体制造及GMR磁头制造。
特征：
1) 高对比度，高感光度
2) 高附着性，对电镀工艺高耐受性
3) 多种粘度可供选择
参考工艺条件：
前烘?：100℃ 90秒以上 (DHP)
曝光?：G线步进式曝光机/接触式曝光系统
显影?：AZ300MIF显影液23℃ 60~300秒
清洗?：去离子水
后烘?：120℃ 60秒以上
剥离?：AZ剥离液及/或氧等离子体灰化
产品型号：
型号 | AZ P4210 | AZ P4330 | AZ P4400 | AZ P4620 | AZ P4903 |
粘性 | 49mPa | 115mPa | 160mPa | 400mPa | 1550mPa |
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AZ?4500系列??AZ4562
具有最佳粘附力的厚光刻胶
特点：
AZ???4500系列（AZ???4533和AZ???4562）是正性厚光刻胶，在普通湿法蚀刻和电镀工艺中具有优良的粘附性能：
l??优化对所有常见基材的附着力
l??宽广的工艺参数窗口，可实现稳定且可重复的光刻工艺
l??与所有常见的显影液兼容（基于KOH或TMAH）
l??与所有常见的去胶剂兼容（例如AZ100去胶剂、有机溶剂或碱性溶剂）
l??对g，h和i线敏感（约320-440 nm）
l??光刻胶厚度范围约?3-30微米
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AZ???4500系列（AZ???4533和AZ???4562）的溶剂浓度不同，因此可达到的光刻胶膜厚有较大的范围：
光刻胶型号 | 光刻胶膜厚范围 | 包装规格 |
AZ???4533 | 转速为4000 rpm时，膜厚约为3.3 μm；通过改变转速，膜后可达2.5-5 μm。 | 多规格包装，如1L、2.5L等 |
AZ???4562 | 转速为4000 rpm时，膜厚约为3.3 μm；通过改变转速，膜后可达4.5-10 μm；调整旋转轮廓（中等旋涂速度下短时间旋涂），可达30 μm膜厚。 | 多规格包装，如1L、2.5L等 |
若光刻胶膜厚度 30 μm？
通常，AZ?4562可以用来涂覆厚度达30微米及以上。然而，在该厚度范围内，软烘烤、曝光、显影等变得非常耗时。此外，如果涂得太厚，AZ?4562也可能在曝光期间形成N2气泡。 因此，对于厚度大于30 μm的光刻胶膜厚度，强烈建议使用化学放大的AZ?40 XT光刻胶。
显影液——适用于AZ???4500光刻胶
如果可以使用含金属离子的显影液，可使用1：4稀释的KOH基AZ?400K作为显影液（对于更高的光刻胶膜厚度，可用1：3.5 - 1：1的稀释浓度）。
如果必须使用不含金属离子的显影液，我们建议使用基于TMAH基的AZ?326 MIF，AZ?726 MIF或AZ?826 MIF显影剂（未稀释）。
?
去胶剂——适用于AZ???4500光刻胶
对于非交联的光刻胶薄膜，可以使用AZ?100作为去胶剂，DMSO或其他常见的有机溶剂作为剥离剂。 如果光刻胶膜已交联（例如，在干法蚀刻等离子工艺或离子注入时，> 140°C的高温步骤时），我们建议使用不含NMP的TechniStrip P1316作为去胶剂。
EM胶
电子束光刻胶 | |||||
型号 | 光源 | 类型 | 分辨率 | 厚度（um) | 适用范围 |
SU-8 GM1010 | 电子束 | 负性 | 100nm | 0.1-0.2 | 可用于做高宽比较大的纳米结构。 |
HSQ | 电子束 | 负性 | 6nm | 30nm~180nm | 分辨率最好的光刻胶，抗刻蚀。 |
HSQ Fox-15/16 | 电子束 | 负性 | 100nm | 350nm~810nm | 分辨率最好的光刻胶，抗刻蚀。 |
PMMA(国产) | 电子束 | 正性 | 高分辨率，适用于各种电子束光刻工艺，最常用的电子束光刻正胶。 | ||
PMMA（进口） | 电子束 | 正性 | MicroChem，各种分子量，适用于各种电子束光刻工艺，最常用的电子束光刻正胶。 | ||
PMGI&LOR Lift-off光刻胶<
