二氧化硅靶

二氧化硅，高纯二氧化硅颗粒，二氧化硅靶，二氧化硅蒸发材料，镀膜专用二氧化硅 
化学符号：SiO2 

沸    点：2230℃

纯    度：4N

规    格：1-4mm,颗粒，靶材

分 子 量：60.08 
外    观：白色 
熔    点：1700℃ 
密    度：2.2-2.7g/cm3  
在10-4Torr真空下蒸发温度为：1025℃ 
透 明 区/nm：200-8000 
相对介电常数：3-4 
击穿电压/V？cm-1：106 
厚    度μm：0.03-0.3 
沉积技术：反应溅射 
折 射 率(波长/nm)：1.46(500) 
          1.445(1600) 
线膨胀系数/℃-1:5.5×10-7 
蒸发方式：电子束 
性    能： 可用钽舟加热蒸发，也可用三氧化二铝坩埚加热蒸发，但由电阻加热蒸发会产生分解，由电子束加热蒸发效果很好；不溶于水和酸，但溶于氢氟酸；其微粒能与熔融碱起作用； 
应    用： 二氧化硅用途广泛，主要用于冷光膜、防反膜、多层膜、滤光片、绝缘膜、眼镜膜、紫外膜等。