高精度晶片的抛光技术：是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术，最终使晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，降低谐振电阻，提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能，使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值，使石英晶体元器件可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态。
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京瓷晶振参数 |
单位 |
石英晶振CX1612DB |
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标准频率范围 |
f_nom |
26.000MHZ~60.000MHZ |
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储存温度 |
T_stg |
-40°C—+85°C |
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工作温度 |
T_use |
-10°C—+70°C |
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激励功率 |
DL |
200μW Max |
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频率温度特征 |
F_tem |
±10-6 /-20°C~+75°C |
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负载电容 |
CL |
8PF |
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频率老化 |
f_age |
±1 ×10-6 / year Max |
激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力，会导致产品特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率 （请参阅“激励功率”章节内容）。
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻，否则振荡或振荡启动时间可能会增加（请参阅“关于振荡”章节内容）。
负载电容
振荡电路中负载电容的不同，可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整，可能只会导致不正常的振荡。在使用之前，请指明该振动电路的负载电容（请参阅“负载电容”章节内容）。
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