供应IGBT模块A系列2A75HB12C1U

2A75HB12C1U

技术参数：

• Ic(A),Tc=80℃          75

• Vce(sat),Max(V)        -

• Ton(us)                -

• Toff(us)               -

• Rth(j-c),K/W           -

• Pc(W)                  -

• 封装                  34mm

电气特性：

• 低开关损耗

• T（VJ OP）=125℃

• 超快速IGBT芯片

机械特性：

• 铜基板

• 标准封装

目标应用：

• 工业焊机