供应英飞凌IGBT模块FP35R12W2T4，适用变频器行业

FP35R12W2T4

技术参数：

• Ic(A),Tc=80℃        35

• Vce(sat),Max(V)        2.25

• Ton(us)               0.025

• Toff(us)               0.31

• Rth(j-c),K/W        0.7

• Pc(W)               215

• 封装                  EasyPIM2B

• 电路结构               PIM

典型应用：

• 辅助逆变器

• 空调

• 电机传动

电气特性：

• 低开关损耗

• 沟槽栅IGBT4

• VCEsat 带正温度系数

• 低VCEsat

机械特性：

• 低热阻的三氧化二铝衬底

• 紧凑型设计

• 焊接技术

• 集成的安装夹使安装坚固