在进行镀膜等工艺之前, 对原样品的表面平整度/洁净程度等参数会有不同的要求. 对于不达标的样品需要进行前处理, KRI霍尔离子源可以很好的解决这类的问题.
应用KRI霍尔离子源可以在低功耗的情况下进行大电流的工作, 很好的处理样品的清洁度/和平整度; 可以根据不同的工艺要求来控制样品表面的光滑/粗糙程度; 一致且可靠地去除表面污染物, 以暴露原始基材, 达到清洗前处理的作用.
稳定工艺并提高产品产量. KRI离子源清洗在在真空室中进行, 基板表面清洁后可以立即沉积, 短停留时间暴露于真空背景清洁并活化基材表面比辉光放电更清洁, 生产率更高; 无需基板偏置/无需高压, 消除了大多数腔室壁的溅射, 没有额外的抽空, 很好地提高了整体工艺的效率与质量.
中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司客户选用KRI EH1000型霍尔离子源组装磁控溅射设备对聚氨酯类的材料进行清洗前处理.
离子源清洗样品的示意图：
KRI 霍尔离子源 eH 1000 特性:
• 可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 最大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
• 宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
• 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便; 无需水冷
• 高效的等离子转换和稳定的功率控制
KRI 霍尔离子源 eH 1000 技术参数:
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型号 |
eH1000 / eH1000L / eH1000x02/ eH1000LEHO |
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供电 |
DC magnetic confinement |
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- 电压 |
40-300V VDC |
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- 离子源直径 |
~ 5 cm |
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- 阳极结构 |
模块化 |
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电源控制 |
eHx-30010A |
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配置 |
- |
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- 阴极中和器 |
Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode |
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- 离子束发散角度 |
> 45° (hwhm) |
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- 阳极 |
标准或 Grooved |
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- 水冷 |
前板水冷 |
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- 底座 |
移动或快接法兰 |
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- 高度 |
4.0' |
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- 直径 |
5.7' |
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- 加工材料 |
金属 |
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- 工艺气体 |
Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
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- 安装距离 |
10-36” |
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- 自动控制 |
控制4种气体 |
* 可选: 可调角度的支架; Sidewinder
上海伯东是美国 考夫曼离子源在中国的总代理商.
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