采用真空镀膜的方式在几种基底上沉积薄膜, 这种薄膜的性能取决于基底的清洁度. 基底表面的污染物会影响薄膜和基底的附着力, 更会加快沉积后薄膜性能的退化, 比如导电膜电阻变大, 光学膜的光学性能变差.
即使通过小心的处理, 基底在镀膜前也会因为暴露在大气下而被吸附水汽和碳氢化合物污染. 这种暴露也会在基底表面产生氧化层. 要去除这种污染, 必须将基底置于真空环境下进行清洗, 而且在镀膜前不能再接触到大气.
为了除去基底表面的污染物, 镀膜的厂商一般采用离子源进行清洗, 离子束在清洗方面的选择性要高得多, 因为高能离子可以定向到基底上, 这样只会出去基底和周围附近的污染物.
能够独立于环境因素调节离子能量也很重要, 可以去除实验环境中基质表面的水蒸气和碳氢化合物等物理吸附污染物. 低能量离子非常有效, 能量小于100eV可以避免损伤衬底或明显的溅射. 物理吸附污染物的去除量很小, 小于1ma-s / cm2.
另一方面, 更高的离子能量可以用来去除化学修饰层, 如氧化物. 较强的化学修饰层通常需要至少100 EV的离子能量, 所需的离子能量根据污染物的溅射速率和厚度来计算.
较低的工作压力更有利于离子清洗. 工作压力取决于所使用的真空泵, 通常在10-4 Torr范围内, 导致分子的平均自由层路径比辉光放电长数千倍. 这样, 一旦污染物从表面被清除, 就可以用真空泵来清除. 减少了返回表面的可能性, 较低的工作压力也可以在清洗后开始形成膜, 从而最大限度地减少了沉积前可能积累的新污染.
根据沉积过程和材料的不同, 离子辅助沉积可以进一步改善膜的性能.
伯东某镀膜厂商客户选用KRI EH1000型霍尔离子源组装磁控溅射设备对镀膜沉积前预清洗.
KRI 霍尔离子源 eH 1000 特性:
• 可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 最大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
• 宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
• 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便; 无需水冷
• 高效的等离子转换和稳定的功率控制
KRI 霍尔离子源 eH 1000 技术参数:
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型号 |
eH1000 / eH1000L / eH1000x02/ eH1000LEHO |
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供电 |
DC magnetic confinement |
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- 电压 |
40-300V VDC |
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- 离子源直径 |
~ 5 cm |
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- 阳极结构 |
模块化 |
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电源控制 |
eHx-30010A |
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配置 |
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- 阴极中和器 |
Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode |
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- 离子束发散角度 |
> 45° (hwhm) |
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- 阳极 |
标准或 Grooved |
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- 水冷 |
前板水冷 |
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- 底座 |
移动或快接法兰 |
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- 高度 |
4.0' |
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- 直径 |
5.7' |
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- 加工材料 |
金属 |
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- 工艺气体 |
Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
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- 安装距离 |
10-36” |
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- 自动控制 |
控制4种气体 |
* 可选: 可调角度的支架; Sidewinder
上海伯东是美国 考夫曼离子源在中国的总代理商.
上海伯东是德国 Pfeiffer 真空设备, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.
