气体传感器规格
工作温度会影响传感器的灵敏度。 下图左图是针对SnO2气体感应设备的各种气体温度的电阻特性曲线。 由图可见，装置依据温度而对不同气体的敏感度不同，且能够利用此特性来识别气体的类型。 制备工艺对SnO2的气敏特性也有很大影响。 如果在SnO2中添加ThO2，改变烧结温度和加热温度会产生不同的气体灵敏度效果。
气体传感器样式
1、敏感度当氡气浓度值较低时，氡气敏MOSFET敏感度很高，1ppm氡气浓度值转变，△UT的值可做到10mV，当氡气浓度值较高时，控制器的敏感度会减少。2、对汽体可选择性钯原子间的“间隙”正好能让氢原子根据，因而，钯栅只容许氡气根据，有非常好的可选择性。3、响应速度这类元器件的响应速度受溫度、氡气浓度值的危害，一般温度越高，氢气浓度越高，响应越快，常温下的响应时间为几十秒。
气体传感器描述
4、可靠性具体运用中，存有UT随時间飘移的特点，因此，选用在HCl氛围中生长发育一层SiO2电缆护套，能够 明显改进UT的飘移。除氡气外，别的汽体不可以根据钯栅，制做别的汽体的Pd—MOSFET气敏传感器要选用一定对策，如制做CO敏MOSFET时要在钯栅上制做约20nm的小圆孔，就能够 容许CO汽体根据。此外，由于Pd—MOSFET对氢气有较高的灵敏度，而对CO的灵敏度却较低，为此可在钯栅上蒸发一层厚约20nm的铝作保护层，阻止氢气通过。钯对氨气分解反应的催作用较弱，为此，要先在SiO2绝缘层上沉淀一层活性金属，如Pt、Ir、La等。再制作钯栅，可制成氨气敏MOSFET。
