气体传感器介绍
气敏二极管的特性曲线可以看作二极管电压的变，如果场效应管的闸门出现，场效应管的阈值电压会发生变。钯与二氧硅的界面，最终导致MOSFET的阈值电压UT发生变。使用时常将栅漏短接，可以MOSFET工作在饱和区，此时的漏极电流ID=β(UGS—UT)2，利用这一电路可以测出氢气的浓度。
气体传感器种类
4 .稳定性的实际应用中，UT具有随时间漂移的特性，因此通过在HCl气氛中生长SiO2绝缘层，能够显着改善UT的漂移。 氢以外的气体不能通过钯栅。 制作其他气体的Pd—MOSFET气体传感器采取了一定的对策，制作CO敏MOSFET时如果在钯栅上制作约20nm的小孔，则允许CO气体通过。 再见于Pd—MOSFET对氢气有较高的灵敏度，而对CO的灵敏度却较低，为此可在钯栅上蒸发一层厚约20nm的铝作保护层，阻止氢气通过。钯对氨气分解反应的催作用较弱，为此，要先在SiO2绝缘层上沉淀一层活性金属，如Pt、Ir、La等。再制作钯栅，可制成氨气敏MOSFET。
气体传感器类型
向ZrO2中加入稳定剂后，在l800℃的气氛中烧结，锆离子的一部分被钙离子取而生成( ZrO Cao )。 。 由于Ca2是正的二价离子，Zr4是正的四价离子，因此为了持续维持电中性而在结晶内产生氧离子O2-空穴，( ZrO Cao )成为在高温下传递氧离子的原因，( ZrO Cao )在300~800℃下成为氧离子的导体。但要真正能够传递氧离子还必须在固体电解质两边有不同的氧分压(氧位差)，形成所渭的浓差电池。其结构原理如图所示，两边是多孔的电极，与中间致密的ZrO·CaO材料制成夹层结构。
