高壓MOS 國內產品存在問題：
產品技術指標：高溫（150℃）漏電大；
電磁輻射EMI難解決；
產品品質：
老化考核後產品擊穿電壓跌落；
可靠性難以符合工業要求；
同質化嚴重，技術陳舊，晶片面積大。
瑞森核心技術：
新型的橫向變摻雜技術；專有的功率MOS結構；
高溫特性優良。
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高壓MOS 國內產品存在問題：
產品技術指標：
瑞森核心技術：
新型的橫向變摻雜技術；
