30V N沟道增强型MOSFET
30V N沟道增强型MOSFET
30V N沟道增强型MOSFET
描述
NP3400B采用先进的沟槽技术
提供出色的RDS(上)
五世
低栅极电荷和高
超低导通电阻的密度单元设计。这
器件适合用作负载开关或用于PWM
应用程序。
一般特征
DS =30V，ID R =5A
DS(开)(典型值。)= 43mω@ VGS = 2.5V
RDS(开)(典型值。)= 31mω@ VGS
高功率和电流处理能力
=4.5V
收购无铅产品
表面贴装封装
应用
PWM应用
负荷开关
