南麟NP4805 30V双P沟道增强型MOSFET

南麟NP4805 30V双P沟道增强型MOSFET

南麟NP4805 30V双P沟道增强型MOSFET

南麟NP4805 30V双P沟道增强型MOSFET

描述

NP4805SR采用先进的沟槽技术

提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和

栅极电压低至4.5V时运行。这

该装置适合用作负载开关或PWM

应用。

一般特征

 VDS=-30V，ID=-8A

RDS（开）（典型值）=24.6mΩ @VGS=-4.5V

RDS（开）（典型值）=18.7mΩ @VGS=-10V 高功率和电流处理能力

 获得无铅产品

 表面贴装封装

应用

 PWM应用

 负荷开关