半绝缘碳化硅晶锭厂商 4H-SI型碳化硅衬底工厂
苏州恒迈瑞材料科技生产供应半绝缘型碳化硅晶棒，产品尺寸为4英寸或者6英寸。晶向：On axis : <0001>±0.5°。晶棒厚度平均为20mm。同时也提供半绝缘型碳化硅衬底晶片，厚度为500um。
SiC材料开关损耗极低，全SiC功率模块的开关损耗大大低于同等IGBT模块的开关损耗，而且开关频率越高，与IGBT模块之间的损耗差越大，这就意味着对于IGBT模块不擅长的高速开关工作，全SiC功率模块不仅可以大幅降低损耗还可以实现高速开关。SiC材料具备更低的通态电阻，阻值相同的情况下可以缩小芯片的面积，SiC功率模块的尺寸可达到仅为Si的1/10左右。SiC的禁带宽度3.23ev，相应的本征温度可高达800摄氏度，承受的温度相对Si更高；SiC材料拥有3.7W/cm/K的热导率，而硅材料的热导率仅有1.5W/cm/K，更高的热导率可以带来功率密度的显著提升，同时散热系统的设计更简单，或者直接采用自然冷却。
