某半导体公司为了去除晶圆反应表面产生的反应产物, 进而提高反应效率, 同时提高晶圆的均匀度, 采用 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 用于半导体晶圆刻蚀.
Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 产品图如上图, 其主要构件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼离子源, 触摸屏控制面板, 真空腔体, 样品台.
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 技术参数如下:
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Ф4 inch X 6片 |
基板尺寸 |
< Ф3 inch X 8片 |
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样品台 |
样品台可选直接冷却 / 间接冷却, 0-90度旋转 |
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离子源 |
20cm 考夫曼离子源 |
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均匀性 |
±5% for 8”Ф |
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硅片刻蚀率 |
20 nm/min |
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温度 |
<100 |
Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220
伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:
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离子源型号 |
RFICP 220 |
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Discharge |
RFICP 射频 |
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离子束流 |
>800 mA |
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离子动能 |
100-1200 V |
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栅极直径 |
20 cm Φ |
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离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
10-40 sccm |
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通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型压力 |
< 0.5m Torr |
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长度 |
30 cm |
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直径 |
41 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量
Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 的样品台可以 0-90 度旋转, 实现晶圆反应面均匀地接受离子的轰击, 进而实现提高晶圆的加工质量.
运用结果：
1. 有效去除晶圆反应表面产生的反应产物, 进而提高反应效率
2. 晶圆的均匀度得到良好提高
3. 晶圆的加工质量得到明显提高
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