某芯片实验室为了解决芯片湿法刻蚀难以解决的横向腐蚀问题, 引进伯东 Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于刻蚀硅微机械陀螺芯片.
Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 技术规格:
|
真空腔 |
1 set, 主体不锈钢,水冷 |
|
基片尺寸 |
1 set, 4”/6”ϕ Stage, 直接冷却, |
|
离子源 |
ϕ 8cm 考夫曼离子源 KDC75 |
|
离子束入射角 |
0 Degree～± 90 Degree |
|
极限真空 |
≦1x10-4 Pa |
|
刻蚀性能 |
一致性: ≤±5% across 4” |
该实验室采用的 Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 75
伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC75 技术参数：
|
离子源型号 |
|
|
Discharge |
DC 热离子 |
|
离子束流 |
>250 mA |
|
离子动能 |
100-1200 V |
|
栅极直径 |
7.5 cm Φ |
|
离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
流量 |
2-15 sccm |
|
通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
|
典型压力 |
< 0.5m Torr |
|
长度 |
20.1 cm |
|
直径 |
14 cm |
|
中和器 |
灯丝 |
* 可选: 一个阴极灯丝; 可调角度的支架
试验结果:
Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 刻蚀出的芯片表面平整、光滑,解决了湿法刻蚀难以解决的横向腐蚀问题,并提高了刻蚀速率。
若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :
上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
伯东版权所有, 翻拷必究！
