iC 体积分数相同, 因基体合金和浸渗技术的不同, AlSiC 封装材料的弯曲强度和弹性模量相差较大。SiC体积分数为70%时, 与用 Al-Si-Mg系合金和无压浸渗制备的复合材料相比, 用 AlSi20合金和挤压铸造技术制备的复合材料的弯曲强度提高了37%，但弹性模量降低 17%。SiC 体积分数为60%和采用挤压铸造制备复合材料时, 与基体为 AlSi12合金的相比, 基体合金为 Al-Cu4MgAg 的 AlSiC 封装材料的弯曲强度和弹性模量分别提高73. 2% 和18%。表1中所使用的基体合金，除 99. 7% Al 合金外, 其余均是可热处理强化的合金, 改变热处理工艺可获取不同性能的封装构件, 如 60vol% SiCp/ AlCu4M gAg 封装材料, 铸造态和T6态的弯曲强度分别为 673. 2M Pa和 703. 5M Pa，而布氏硬度则分别为273和360。气密性铝硅合金CNC加工厂
众所周知, 气密性是封装材料及构件的重要指标之一, 气密性不好会使外界水汽、 有害离子或气体进入封装构件中, 使封装构件产生表面漏电、结构发生变化、 参数变化等失效模式。影响AlSiC 电子封装材料气密性的主要因素有: 制备工艺、 材料表面粗糙度等。如采用挤压铸造、 真空压力浸渗和无压浸渗制备AlSiC封装材料, 材料孔隙率分别为 0. 7% ~ 3%、 0. 5% ~2%和 2. 9% ~ 5. 9%。为提高材料的气密性, 必须减小材料中的孔隙率, 由于 AlSiC 中含有大量坚硬的 SiC 粉末, 因此常采用热等静压工艺进行致密化处理。国外厂商生产的 AlSiC封装材料的气密性指标都小于 10- 10 Pa·m3 / s。作者和崔岩分别采用真空压力浸渗和无压浸渗制备的 AlSiC 封装材料的气密性均能达到小于 5x 10- 9 Pa·m3 / s, 满足了国军标对封装材料气密性的要求。
AlSiC 复合材料的显微组织如下图所示。由图可以看到AlSiC复合材料的组织均匀致密，无杂质、气孔等缺陷，细小的SiC 颗粒充分填充到粗大颗粒的间隙中，分布均匀，无颗粒团聚现象，致密的组织不但可以提高复合材料的导热率，还能提高材料的力学性能。热膨胀系数
热膨胀系数的测试结果如图2所示。60%A1SiC复合材料25℃～100℃之间的平均线膨胀系数介于(6.7～8.4 ) x 10-6K-1之间， 低于常用封装材料 Mo/10vol%Cu( 8.7x 10-6K-1)的热膨胀系数，能够满足电子封装应用的性能要求。AlSiC 复合材料的热膨胀系数随着温度升高而增加，在相同温度下随着SiC 颗粒体积分数的增加而降低。对复合材料而言， 其热膨胀系数主要取决于基体的热膨胀系数和增强体通过基体 一增强体界面对基体的制约程度。一方面，由于铝的热膨胀系数随温度的提高而增大，导致复合材料的热膨胀系数也随温度提高而增大。 另一方面，随温度提高，复合材料中增强体-基体界面传载能力下降，增强体对基体膨胀的铝硅合金CNC加工厂在线咨询钧杰陶瓷电话：137 1257 4098
