从低温共烧的工艺角度来研究氮化铝坯片和银浆的排胶，从而确立排胶的温度及烧结气氛的控制。结果表明，二次排胶法与在氮气气氛中加入微量氧进行烧结，获得了综合性能优良的银布线多层陶瓷基板。氮化铝陶瓷结构件定制加工厂
随着半导体IC芯片集成化、速度和功效的日益提高，以及电子整机向小、轻、薄方向发展，对与之相适应的高密度电路基板的要求也越来越高。过去采用高温共烧技术制成的多层陶瓷基板，由于布线导体材料必须是诸如钨、锰等高熔点金属，不仅阻力大，性能差，而且成本高，很难推广应用。而AIN/glass复合材料的烧结温度可控制在1000°以内，从而和使得和高导电银的共烧成为可能。
采用SHS-AIN粉为初始原料，经抗水化处理后得到抗水性AIN粉末(H-AIN)。选用了无水乙醇(EOH)和丁酯(MEK)的二元恒沸混合物做溶剂，磷酸三乙酯(TEP)作分散剂，聚乙烯醇缩丁醛(PVB)作粘结剂，聚乙二醇(PEG)和邻苯二甲酸二乙酯(PHT)作增塑剂。AIN流延坯的厚度根据实验需要进行调整，本实验采用坯片厚度为0.2mm。
银导体浆料由银粉、玻璃粘结剂、氧化物和有机载体搅拌而成。银粉平均粒径lμm，混有少许片状银粉以调整收缩率和提高致密性；粘结相为低氧化铅含量的晶化玻璃料；有机载体基本成分为乙基纤维素、松油醇、蓖麻油、邻苯二甲酸二丁酯等，并加入流平剂、表面活性剂和二次流动控制剂等组成。玻璃粉与银粉的重量比约为3:7。氮化铝陶瓷结构件定制加工厂在线咨询钧杰陶瓷电话：137 1257 4098
