气体传感器阐述
半导体气体传感器可分为电阻型和非电阻型结型、MOSFET型、电容型。电阻型气敏器件是气体分子引起敏感材料电阻变；非电阻型气敏器件有Ms二极管和结型二极管以场效应管MSFET，它利用敏感气体会改变MOSFET开启电压，其与ISFET离子敏传感器件相同。
气体传感器类型
在SnO2材料内掺杂是改善传感器性，添加Pt、Pd、Ir等不仅能有效地提高元件灵敏度和响应时间，而且，催剂不同，导致不同吸附倾向，从而改善性。例如在SnO2气敏材料中掺杂Pt、Pd、Au提高对CH4灵敏度，掺杂Ir可降低对CH4灵敏度，掺杂Pt、Au提高对H2灵敏度，掺杂Pd降低对H2灵敏度。
气体传感器定做
4、稳定性
实际中，存在UT随时间漂移特性，为此，采用在HCl气氛中生长一层SiO2绝缘层，显著改善UT漂移。除氢气外，其他气体不能通过钯栅，其他气体Pd—MOSFET气敏传感器要采用一定措施，如CO敏MOSFET时要在钯栅上约20nm小孔，就允许CO气体通过。另外，由于Pd—MOSFET对氢气有较高灵敏度，而对CO灵敏度却较低，为此可在钯栅上蒸发一层厚约20nm铝作保护层，阻止氢气通过。钯对氨气反应催较弱，为此，要先在SiO2绝缘层上沉淀一层活性金属，如Pt、Ir、La等。再钯栅，可制成氨气敏MOSFET。
