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APRO 40P DOM盘 WPMIF256M-HAISI-0V-U

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产品价格: 333/人民币 
最后更新: 2012-08-13 21:50:33
产品产地:
发货地: 北京海淀大街34号 (发货期:当天内发货)
供应数量: 不限
有效期: 长期有效
最少起订: 1
浏览次数: 637
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  • 公司基本资料信息
  •  
    产品详细说明
    工业级宽温40针IDE闪存模块
    APRO工业宽温40针IDE闪存模块又称DOM盘,它采用了先进的Hyperstone闪存控制芯片和NAND类型的SLC闪存技术,工业级宽温闪存模块工作温度是 -40℃ ~ +85℃ 。灵活的外形设计能满足不同客户的需求,安装方式可选择垂直安装或水平安装,其中水平安装又分为水平型向右安装或者水平型向左安装。闪存模块的优点在于数据不丢失和使用半导体存储介质,所以对于需要长时间稳定数据存储关键的应用,APRO工业闪存模块是最佳选择方案。
    特点
    ●      闪存模块采用了NAND型的SLC闪存技术
    ●      真正支持IDE模式 
    ●      数据传输模式PIO-4或者UDMA-4
    ●      支持磨损平整和先进的坏区管理算法
    ●      可选择垂直安装或水平安装
    ●      可选择主盘/从盘设置
    ●      工作电压 +5V
    ●      存储容量从128MB~32GB
    ●      工作温度范围 -40℃ ~ +85℃
    规格说明
    ●符合RoSH环保                                                                                      有
    ●兼容性                                                  ATAPI-6和Ture IDE
    ●闪存技术                                                NAND型SLC Flash
    ●样式                                                    垂直型和水平
      ◆连接                                                   40针
    ●系统性能
      ◆数据传输方式                                           PIO-4或者UDMA-4
      ◆数据传输速率                                           66.6MB/sec 在UDMA-4方式下测试速度
      ◆连续读                                                 40.0MB/sec(Max)
      ◆连续写                                                 17.0MB/sec(Max)
      ◆平均访问时间                                           0.2ms(估计)
    ●环境指标
      ◆工作温度                                               -40℃ ~ +85℃
      ◆非工作温度                                             -50℃ ~ +95℃
      ◆湿度                                                   5% ~95%(无凝结)
      ◆噪声                                                   0db
      ◆抗震动                                                 20G ,符合美军准MIL-STD-810F
      ◆抗冲击                                                 1.500G,符合美军准MIL-STD-810F
      ◆高度                                                   70.000M
    ●功耗
      ◆电压要求                                                               +5V±10% ;
      ◆读电流                                                                  128.0 mA(Max.);
      ◆写电流                                                                118.0 mA(Max.);
      ◆休眠模式电流                                          1.8 mA(Max.);
    ●可靠性
      ◆MTBF(无故障工作时间)                                                  3.000.000 小时以上
      ◆纠错码                                                                 采用4 bits ECC Code
      ◆读写次数                                                                                             2.000.000次
      ◆数据可靠性                                      每读 1014 比特出现不多于1次不可恢复的错误
      ◆数据保存期                                                                                        10年
    ●物理尺度
      ◆重量 (最大的)                                                                         垂直型 20.0 g (0.7 oz );水平型15.0g(0.53oz)
      ◆尺寸(宽*长*高)                                     垂直型60.2mm *27.79mm *6.4mm: 水平型55.0mm*32.4mm*7.4mm
    ●质保                                                   5年
    产品订购信息(型号清单)
    样式
    40针IDE闪存模块
    工作温度
    -40℃ ~ +85℃
    产品图片
    容量
    类型
    PIO-4
    UDMA-4
    40针垂直型
    128MB
    垂直
    WPMIF128M-HAISI-0V-P
    WPMIF128M-HAISI-0V-U
    128MB
    水平右
    WBMIF128M-HAISI-0R-P
    WBMIF128M-HAISI-0R-U
    128MB
    水平左
    WBMIF128M-HAISI-0L-P
    WBMIF128M-HAISI-0L-U
    256MB
    垂直
    WPMIF256M-HAISI-0V-P
    WPMIF256M-HAISI-0V-U
    256MB
    水平右
    WBMIF256M-HAISI-0R-P
    WBMIF256M-HAISI-0R-U
    256MB
    水平左
    WBMIF256M-HAISI-0L-P
    WBMIF256M-HAISI-0L-U
    512MB
    垂直
    WPMIF512M-HAISI-0V-P
    WPMIF512M-HAISI-0V-U
    512MB
    水平右
    WBMIF512M-HAISI-0R-P
    WBMIF512M-HAISI-0R-U
    512MB
    水平左
    WBMIF512M-HAISI-0L-P
    WBMIF512M-HAISI-0L-U
    40针水平型向右
    1GB
    垂直
    WPMIF001G-HAISI-0V-P
    WPMIF001G-HAISI-0V-U
    1GB
    水平右
    WBMIF001G-HAISI-0R-P
    WBMIF001G-HAISI-0R-U
    1GB
    水平左
    WBMIF001G-HAISI-0L-P
    WBMIF001G-HAISI-0L-U
    2GB
    垂直
    WPMIF002G-HAISI-0V-P
    WPMIF002G-HAISI-0V-U
    2GB
    水平右
    WBMIF002G-HAISI-0R-P
    WBMIF002G-HAISI-0R-U
    2GB
    水平左
    WBMIF002G-HAISI-0L-P
    WBMIF002G-HAISI-0L-U
    4GB
    垂直
    WPMIF004G-HAISI-0V-P
    WPMIF004G-HAISI-0V-U
    4GB
    水平右
    WBMIF004G-HAISI-0R-P
    WBMIF004G-HAISI-0R-U
    4GB
    水平左
    WBMIF004G-HAISI-0L-P
    WBMIF004G-HAISI-0L-U
    40针水平型向左
    8GB
    垂直
    WPMIF008G-HAISI-0V-P
    WPMIF008G-HAISI-0V-U
    8GB
    水平右
    WBMIF008G-HAISI-0R-P
    WBMIF008G-HAISI-0R-U
    8GB
    水平左
    WBMIF008G-HAISI-0L-P
    WBMIF008G-HAISI-0L-U
    16GB
    垂直
    WPMIF016G-HAISI-0V-P
    WPMIF016G-HAISI-0V-U
    16GB
    水平右
    WBMIF016G-HAISI-0R-P
    WBMIF016G-HAISI-0R-U
    16GB
    水平左
    WBMIF016G-HAISI-0L-P
    WBMIF016G-HAISI-0L-U
    32GB
    垂直
    WPMIF032G-HAISI-0V-P
    WPMIF032G-HAISI-0V-U
    32GB
    水平右
    WBMIF032G-HAISI-0R-P
    WBMIF032G-HAISI-0R-U
    32GB
    水平左
    WBMIF032G-HAISI-0L-P
    WBMIF032G-HAISI-0L-U

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