CNT生产的CVD（真空化学气相沉积炉）是一种用于在基片上生成高质量TiC、SiC、SiO2、Si3N4 专用设备。淀积温度能够较高 (100～1200℃可调 ) ，它已成为机械制造工业、冶金工业、光学工业、半导体工业等领域微电子和光电子领域科研和生产不可缺少的设备。
※产品结构：
CNT公司CVD设备主要由全真空专用不锈钢腔体，分子泵或扩散泵高真空系统，电源，生长机体载体及温控系统，独立排气和生长压力调节系统，冷却循环水辅助设备等组成。整机结构紧凑、操作方便、抽真空速度快。此设备控制系统采用逻辑按钮手动控制与工控机自控控制可选。实现真空抽气和镀膜工艺一体化功能。此设备可用于制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介电、半导体及金属膜等。
