气体传感器说明
按质量计算，在SnO2中加入3～5％的ThO2，5％的Sm2．在600℃的H2气氛中烧结，制成厚膜器件，工作温度为400℃。则可作为CO检测器件。上图右图是烧结温度为600℃时气敏器件的特性。可看出，工作温度在170～200℃范围内，对H2的灵敏度曲线呈抛物线，而对CO改变工作温度则影响不大，因此，利用器件这一特性可以检测H2。而烧结温度为400℃制成的器件，工作温度为200℃时，对H2、CO的灵敏度曲线形状都近似呈直线，但对CO的灵敏度要高得多，可以制成对CO敏感的气体传感器。
气体传感器样式
1、灵敏度 当氢气浓度较低时，氢气敏MOSFET灵敏度很高，1ppm氢气浓度变，△UT的值可达到10mV，当氢气浓度较高时，传感器的灵敏度会降低。 2、对气体选择性 钯原子间的“空隙”恰好能让氢原子通过，因此，钯栅只允许氢气通过，有很好的选择性。 3、响应时间 这种器件的响应时间受温度、氢气浓度的影响，一般温度越高，氢气浓度越高，响应越快，常温下的响应时间为几十秒。
气体传感器定做
根据单一的红外吸收峰位置只能判定气体分子中有什么基团，精确判定气体种类需要看气体在中红外区所有的吸收峰位置即气体的红外吸收指纹。但在已知环境条件下，根据单一红外吸收峰的位置可以大致判定气体的种类。由于在零下273摄氏度即绝对零度以上的一切物质都会产生红外幅射，红外幅射与温度正相关，因此，同催元件一样，为消除环境温度变引起的红外幅射的变，红外气体传感器中会由一对红外构成。 一个完整的红外气体传感器由红外光源、光学腔体、红外和信号调理电路构成。
