规格信息:
FET 类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.5A(Ta),28A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(大值):2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(大值):44nC @ 10V
Vgs(大值):±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(大值):2000pF @ 50V
功率耗散(大值):2.5W(Ta),63W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(大值):37 毫欧 @ 10A,10V
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:8-DFN(5x6)
封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(大)@ Vgs:10V
电压,耦合至输入电容(Ciss)(大) @ Vds:50V
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs