| STB系列高频、高脉冲电容器 | |||||
| 缓冲线路，可控硅整流线路，开关电源保护线路。 IGBT，MOSFET突波吸收 。 | |||||
| 高电压，高脉冲，高du/dt | |||||
| 材料特性 | |||||
| 电容结构: | 双层金属化膜，内部串联结构 | ||||
| 封装: | 阻燃塑胶外壳，环氧树脂封装，符合(UL94V-0 )标准. | ||||
| 尺寸: | 适合于各种IGBT保护 。 | ||||
| (可按客户需求定制特殊规格) | |||||
| 电气特性 | |||||
| 电容量: | 0.001 to 1.5μF, 参考表格数据 | ||||
| 额定电压: | 700 to 2000 Vdc | ||||
| 损耗角正切: | 测试条件 1000±20 Hz ， 25±5℃. | ||||
| Cr≤1.0μF， 4×10-4； Cr>1.0μF， 6×10-4 | |||||
| 绝缘电阻: | 3000s，s= MΩ. μF 测试条件 1 minute，100Vdc (25±5℃) | ||||
| 耐电压: | 1.8Ur (DC)测试条件 2s，t 25±5℃，1Min | ||||
| 工作温度: | -40~+85℃ | ||||
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